III族氮化物半导体材料目前工业化制备是通过金属有机物化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)来实现的。该技术的基本原理是通过在密闭化学反应腔中引入高纯度的金属有机源(MO源)和氨气(NH3)，使其在加热的衬底基板(一般选择蓝宝石做衬底)上生长出高质量的晶体。基本化学反应式是：Ga(CH3)3+NH3→GaN+CH4.通常GaN晶体是六方状的纤锌矿结构，基本的物理特性如表2所示。需要特别指出的有两点：(1)GaN的能带宽度在常温300K时，等于3.39eV,是非常难得的宽禁带半导体材料，如果发光，对应的光子波长应该是，
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